تخصيص:
الموديل: E3F-DS30C4
نطاق الكشف: 10-30 سم، ±10%
تعديل نطاق الكشف: منظم الحساسية
هدف الكشف: كائن شفاف/معتم
وقت الاستجابة: 1 مللي ثانية
عند التأخير: 1.5 مللي ثانية
مصدر الضوء: ضوء الأشعة تحت الحمراء 660 نانومتر
جهد الإمداد: DC12-24V (6-36V) النبضي (P-P) جهد التحمل: AC1000V 50/60 هرتز 1 دقيقة، بين جزء الشحن والإسكان
تأثير الجهد: مسافة الكشف ±10% (ضمن ±15% من نطاق جهد الإمداد المقنن)
الاستهلاك الحالي: نوع N.P: خرج التحكم: نوع N.P: حماية الدائرة: نوع N.P.D: حماية التوصيل العكسي، امتصاص التيار، حماية ماس كهربائى للحمل؛ النوع: امتصاص الطفرة
بيئة التشغيل: -30~65 درجة مئوية (بدون تجميد، بدون تكثيف)، 35-95% رطوبة نسبية
تأثير درجة الحرارة: نطاق درجة الحرارة -30~65 درجة مئوية، عند +23 درجة مئوية: ±15% مسافة الكشف؛ نطاق درجة الحرارة: -25~60 درجة مئوية، عند +23 درجة مئوية: ± 10% مسافة الكشف
مقاومة العزل: أكبر من 50 ميجا أوم (DC500 ميغا أوم)، بين جزء الشحن والمبيت
مادة الإسكان: عبس
سطح الكشف (العدسة): PMMA
الوزن: 65 جم (تقريبًا)

قائمة الحزمة:
1 × التبديل الكهروضوئي